보배드림

게이트에서 인가 전압을 주게 되면 터널링 효과가 발생해서, 절연체를 통과하는데,

이때 전기가 통하면서, 채널이 작동되는거지.

그런데 소자가 작아짐에 따라서, 게이트에서 전압을 주었을때, 절연체가 없는 방향으로 

전자가 퍼져나가면서, 누설 전류를 발생시키는데, 게이트에 코팅을 해주면 되는거야.

A게이트에서 전압을 주었을때 B 절연체에서 터널링 효과가 발생해서, C와 D에 전류가 흐르는 채널이 만들어지는데,

가령 B 절연체를 통과하려면 5V의 전압이 필요하다는거지.

그런데 3V만 되더래도, 절연체를 제외한 다른곳으로 전류가 흘러가는거야.

그래서 게이트 위에는 더 높은 전압에서 전류가 흐르는 두꺼운 절연체를 코팅하게 되면 누설전류를 막을수있게 되는거지.

5V에서는 아래에서만 흐르고, 10V가 되면 전방향으로 전류가 흐를수있도록 말이야.

0.01나노를 가기 위해서, 반드시 해야 할것이 누설전류를 잡는것이고,

그 다음이 빛의 크기를 줄이는건데,

빛의 크기를 1/100만배 작게 만든다고 해도, 100만번을 그리기 힘든데,

1번에 100만개씩 그릴수있어야 돼,

그럴려면 마스크의 집적도를 높이면 되는 문제인거지.